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新洁能授权代理 NCEP090N20 N沟道超沟槽II功率MOSFET

发布日期:2025-01-22 23:02    点击次数:161

描述:

这一系列器件采用Super Trench II技术,该技术经过独特优化,可提供最高效的高频开关性能。由于RDS(ON)和Qg的极低组合,导通和开关功率损耗都得以最小化。该器件非常适合高频开关和同步整流。

特征:

VDS =200V,ID =125A

RDS(ON)=7.7mΩ , typical (TO-220)@VGS=10V

RDS(ON)=7.5mΩ , typical (TO-263)@VGS=10V

优秀的门极电荷x RDS(on)产品(FOM)

非常低的导通电阻RDS(on)

175°C工作温度

无铅电镀

应用:

DC/DC 转换器

适用于高频开关和同步整流

详情请咨询我司业务15986786916

发布于:广东省

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